IS43TR16512S2DL-107MBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Deutsch
Artikelnummer: | IS43TR16512S2DL-107MBLI-TR |
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Hersteller / Marke: | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
Teil der Beschreibung.: | 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866M |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1500+ | $20.615 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 1.283V ~ 1.45V |
Technologie | SDRAM - DDR3L |
Supplier Device-Gehäuse | 96-LWBGA (9x13) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 96-LFBGA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C (TC) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 8Gbit |
Speicherorganisation | 512M x 16 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 933 MHz |
Zugriffszeit | 20 ns |
ISSI BGA96
8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600M
8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600M
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LWBGA
8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600M
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LWBGA
8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866M
8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866M
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LWBGA
8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600M
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LWBGA
8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866M
IC DRAM 1GBIT PAR 96TWBGA
8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600M
8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600M
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA
2024/04/11
2024/06/28
2024/08/24
2024/05/28
IS43TR16512S2DL-107MBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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